STマイクロエレクトロニクス（NYSE:STM、以下ST）は、最先端の低耐圧パワーMOSFETシリーズであるSTripFET(TM) F7に、オートモーティブ・グレードに準拠した100V耐圧の新製品を3品種追加しました。
STH315N10F7-2、STH315N10F7-6およびSTP315N10F7は、ボディ・ドレイン間ダイオードの性能を最適化し、動作電圧範囲全体にわたって電圧スパイクやスイッチング・ノイズを最小限に抑えます。これにより、従来以上のロバスト性、信頼性、電力効率を実現する設計を可能にしています。

STripFET(TM) F7は、デバイスのオン抵抗を低減すると同時に、内部電気容量およびゲート電荷を低減し、従来以上に高い電力効率で高速なスイッチングを実現する強化されたトレンチゲート構造を採用しています。新しい3製品は、業界で最も低い単位面積当りオン抵抗（RDS(on) x Area）およびターンオフ・エネルギー（Eoff）を達成しており、これらの利点を車載機器に提供します。

スイッチング・ノイズを最小化するためにCrss/Cissの静電容量比率を最適化した新製品は、逆回復を適切なレベルで緩やかにしたダイオードも備え、EMI/EMCの不要輻射を低減します。その結果、外付けフィルタ回路が不要となり、基板面積とコストを低減することができます。

STの新しいパワーMOSFETは、ハイブリッド車や電気自動車のDC-DCコンバータ、DC-ACコンバータ、LC共振コンバータなど、大電流と高い電力密度および優れた効率を必要とする車載アプリケーションに最適です。

新しい3製品は、車載用認定であるAEC-Q101に準拠しています。STH315N10F7-2およびSTH315N10F7-6は、浮遊インダクタンスが少なく、電流容量が大きいH2PAKパッケージ、STP315N10F7は標準のTO-220パッケージで提供されます。

現在、3製品とも量産中で、単価は1000個購入時にSTH315N10F7-2およびSTH315N10F7-6が約3.80ドル、STP315N10F7が約3.50ドルです。

詳細については、 http://www.st.com/agstripfetf7-nb3

STは、「センス & パワー、オートモーティブ製品」と「エンベデッド・プロセッシング　ソリューション」の多種多様なアプリケーションに半導体を提供する世界的な総合半導体メーカーです。エネルギー管理・省電力からデータ・セキュリティ、医療・ヘルスケアからスマート・コンスーマ機器まで、そして、家庭、自動車、オフィスおよび仕事や遊びの中など、人々の暮らしのあらゆるシーンにおいてSTの技術が活躍しています。STは、よりスマートな生活に向けた技術革新を通し、「life.augmented」の実現に取り組んでいます。2013年の売上は80.8億ドルでした。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（ http://www.st-japan.co.jp ）をご覧ください。

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